SiCを用いたハイパワー用デバイスについて

　GeneSiC（ジェニシック・米国）製ショットキーバリアダイオードを取り扱っております。
　特徴：特別なプラスチックパッケージを使用し、高温（225℃）の環境下でも動作出来ます。
　ハイパワー用SBD一覧
現在IGBT・サイリスタについては、SiCSBDを使ったシリコンベースのIGBTは開発済。フルSiCIGBTについては研究開発中。

SiCについて

　現在の半導体の材料であるシリコンに比べ、高電圧に耐え、耐熱性・熱伝導性・耐薬品性に優れ、放射線にも強い。高温（400℃）に耐えられるので、冷却装置が不要になり機器の小型化・薄型が可能になります。
　自動車（電気・ハイブリッド）・電力・輸送・家電・宇宙・原子力分野・太陽光発電・情報機器・大電力を扱うパワー半導体分野での実用化が期待されています。
　地球温暖化防止対策が重要視される中、SiCを用いた高効率・電力変換技術を活用した省エネルギーの製品の普及が期待されています。
　弊社では、ウエハー並びにインゴットの販売をしております。詳しくはカタログのSiCをクリックして下さい。


LEDについて

　LEDは発光ダイオード（Light Emitting Diode）とも呼ばれます。
　環境省・経済産業省が白熱電球の製造・販売の中止を業界に求めており、2012年までにほぼ廃絶される予定です。
　白熱電球・蛍光灯に代わる新たな光源としてLEDが注目されています。
　LEDの特徴としては、消費電力は白熱電球と比べて約8割、蛍光灯と比べて3割削減できると言われています。
　約4万時間点灯でき、長寿命である。
　LED自体にほとんど熱を持つことはない。
弊社では、LEDの材料・LED照明を取り扱っています。詳しくはカタログのLED材料・LED照明をクリックして下さい。